WMJ26N65C2

WAYON
WML26N N65C2, WM MK26N65C C2 WMN26N65C2, WMM26N N65C2, WM MJ26N65C C2 650V V 0.16Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D S G S D G C2 is TO-22 20F suitable fo or applicattion...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD2065100B7GH (YJ)
 
TO2637 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ YJD2065100NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ YJD2065100NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ CRJF190N65G2BF-12-Z (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML26N N65C2, WM MK26N65C C2 WMN26N65C2, WMM26N N65C2, WM MJ26N65C C2 650V V 0.16Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D S G S D G C2 is TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D S TO-220 T D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-26 63  VDS =7 700V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.16 6Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit VDSSS 650 V ID 20 A 12 A IDM M 50 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 418 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.63 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 3.4 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 147 34 W 1.18 0.27 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 20 A IS,puulse 50 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.85 3.7 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2017 Doc.W08 865012 1 / 10 PDF
Документация на WMJ26N65C2 

Microsoft Word - WMx26N65C2 W0865012 V2.0

Дата модификации: 28.07.2022

Размер: 580.8 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)