05 июня 2024
новость
JMSL0310AU-13
JMSL0310AU
30V 4.0m N-Ch Power MOSFET
Product Summary
Features
Parameter
• Ultra-low RDS(ON)
• Low Gate Charge
• 100% UIS Tested, 100% Rg Tested
• Pb-free Lead Plating
• Halogen-free and RoHS-compliant
Value
Unit
VDS
30
V
VGS(th)_Typ
1.7
V
ID (@ VGS = 10V) (1)
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)
60
A
4.0
m
RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)
6.0
m
Applications
• Power Management in Computi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L3X3
- Норма упаковки: 5000 шт.
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L3X3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 22
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJAB55N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | 30N03A (YOUTAI) | TO252 | в ленте 100 шт |  |  |  | — |  | ± |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJAC90N04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC80N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC110SN04 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  |  | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC110N03A (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC110N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB75N03U (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAB55N03S (JSCJ) | — |
|  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | ||
| A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | |
| A+ | YJD80N03B (YJ) | TO252 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 |  | — | ||
| A+ | NCE3095K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | CJU110N03 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на JMSL0310AU-13
JMSL0310AU_Rev1.3.xlsx
Дата модификации: 27.12.2022
Размер: 296.4 Кб
5 стр.
Публикации 1
показать свернуть Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.