CS70N30ANR

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS70N30 ANR General Description ： VDSS 300 V ID 70 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology P D (TC=25℃) 250 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 36 mΩ CS70N30 ANR, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power sw...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO3P
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CS70N30AKR-G (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS70N30 ANR General Description ： VDSS 300 V ID 70 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology P D (TC=25℃) 250 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 36 mΩ CS70N30 ANR, the silicon N-channel Enhanced performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-3P （N）, which accords with the RoHS standard.. Features：  Fast Switching  Low ON Resistance(Rdson≤42mΩ)  Low Gate Charge (Typical Data: 136.2nC)  Low Reverse transfer capacitances(Typical: 107pF)  100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of electron ballast and adaptor. Absolute（TJ= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage Rating Units 300 V Continuous Drain Current TC = 25 °C 70 A Continuous Drain Current TC = 100 °C 42 A Pulsed Drain Current 280 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 3450 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation TC = 25 °C 250 W 2 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ ID IDM a1 VGS EAS a2 dv/dt a3 PD Derating Factor above 25°C TJ，Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Page 1 of 10 2 0 1 9 V0 1 PDF
Документация на CS70N30ANR 

产品特点：

Дата модификации: 20.11.2019

Размер: 744.9 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)