CS3N120FA9R

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS3N120F A9R General Description： 1200 V ID 3 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(TC=25℃) 30 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 5.1 Ω CS3N120F A9R, the silicon N-channel Enhanced VDSS performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switchi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
F~ WMJ3N120D1 (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ BL6N120-A (CN BELL)
 
— в линейках 4 шт
 
 N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220F, 1300 V, 6 A, 2,3 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ CS3N150AHR (CRMICRO)
 
— в линейках 25 шт
 
 — — —
A+ 4N120L-TA3-T (UTC)
 
—
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS3N120F A9R General Description： 1200 V ID 3 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(TC=25℃) 30 W which reduce the conduction loss, improve switching RDS(ON)Typ 5.1 Ω CS3N120F A9R, the silicon N-channel Enhanced VDSS performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-220F, which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤6.0Ω) l Low Gate Charge (Typical Data:19.7 nC) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:2.2 pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Electric welder、Inverter. Absolute（Tc= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage Rating Units 1200 V 3 A 1.8 A 12 A ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 30 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation 30 W 0.24 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ Continuous Drain Current ID IDM Continuous Drain Current T C = 100 °C a1 Pulsed Drain Current VGS EAS Gate-to-Source Voltage a2 dv/dt a3 PD Derating Factor above 25°C TJ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Pag e 1 of 1 0 2 0 1 8 V0 1 PDF
Документация на CS3N120FA9R 

CS3N120F%20A9R[1]

Дата модификации: 16.04.2018

Размер: 387.5 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)