CS3N120FA9R
Silicon
N-Channel
Power MOSFET
R
○
CS3N120F A9R
General Description:
1200
V
ID
3
A
VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology
PD(TC=25℃)
30
W
which reduce the conduction loss, improve switching
RDS(ON)Typ
5.1
Ω
CS3N120F A9R, the silicon N-channel Enhanced
VDSS
performance and enhance the avalanche energy. The transistor
can be used in various power switchi...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO220F
- Норма упаковки: 1000 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO220F | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
F~ | WMJ3N120D1 (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
A+ | BL6N120-A (CN BELL) | — | в линейках 4 шт | N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220F, 1300 V, 6 A, 2,3 Ohm | Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply | ||||||||||||
A+ | CS3N150AHR (CRMICRO) | — | — | — | — | ||||||||||||
A+ | 4N120L-TA3-T (UTC) | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.