CS3N150AHR

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS3N150 AHR General Description： 1500 V ID 3 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (T C=25℃) 32 W which reduce the conduction loss, improve switching R DS(ON)Typ 5.0 Ω CS3N150 AHR, the silicon N-channel Enhanced VDSS performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switch...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CS3N150FA9R (CRMICRO)
 
TO220F 54 шт — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS3N150 AHR General Description： 1500 V ID 3 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (T C=25℃) 32 W which reduce the conduction loss, improve switching R DS(ON)Typ 5.0 Ω CS3N150 AHR, the silicon N-channel Enhanced VDSS performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-3P(H), which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤6.5Ω) l Low Gate Charge (Typical Data: 37.6nC) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:2.8pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（TJ= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Drain-to-Source Voltage ID IDM a1 a2 dv/dt Units 1500 V Continuous Drain Current T C = 25 °C 3 A Continuous Drain Current T C = 100 °C 1.8 A 12 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 227 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 5.0 V/ns Power Dissipation T C = 25 °C 32 W 0.26 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ Pulsed Drain Current T C = 25 °C VGS EAS Rating a3 PD Derating Factor above 25°C TJ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Pag e 1 of 1 0 2 0 1 9 V0 1 PDF
Документация на CS3N150AHR 

CS3N150%20AHR[1].doc

Дата модификации: 24.05.2019

Размер: 443.4 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)