BLM8205

Pb Free Product BLM8205 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2 The BLM8205 uses advanced trench technology to provide G1 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G2 voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2 Schematic diagram General Features ● VDS = 19.5V,ID = 4A Typ.R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание N-Channel Trench MOSFET, SOT23-6L, 19,5 V, 4 A, 0,021 Ohm
Ёмкость затвора
  Особенности: High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery protection, Load switch, Power management
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJL2302A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM02DN70M3 (WAYON)
 
SOT236
 
A+ WM02N50M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ MTM78E2B0LBF (PAN)
 
WSON-8 1 шт
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ FK6K02010L (PAN)
 
WSMini6-F1-B
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ CJ8820 (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
±
A+ CJ8810 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
±
A+ CJ3420 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 5 шт
 
±
A+ CJK8804 (JSCJ)
 
SOT233L
 
±
A+ WM4C62160A (WAYON)
 
 
A+ WM02N75M2 (WAYON)
 
SOT233L 1 шт
 
A+ YJL2312A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM02DN60M3 (WAYON)
 
SOT236
 
A+ WM02DN70A (WAYON)
 
TSSOP-8
A+ WM02DN50M3 (WAYON)
 
SOT236
 
A+ WM02DN080C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ YJL3416A (YJ)
 
20 шт
 
A+ YJL2312AQ (YJ)
 
 
A+ YJL2312AL (YJ)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ YJJ08N02A (YJ)
 
SOT236 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTL2312A (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ IRLML6244TR (YOUTAI)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ WM02N70M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTL2302C (JIEJIE)
 
SOT-23-3 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product BLM8205 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D1 D2 The BLM8205 uses advanced trench technology to provide G1 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G2 voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2 Schematic diagram General Features ● VDS = 19.5V,ID = 4A Typ.RDS(ON) = 21mΩ @ VGS=4.5V Typ.RDS(ON) = 27mΩ @ VGS=2.5V ● High Power and current handing capability ● Lead free product is acquired Marking and pin Assignment ● Surface Mount Package Application ●Battery protection ●Load switch ●Power management SOT23-6L top view Package Marking And Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 8205 BLM8205 SOT23-6L Ø180mm 8mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS Drain Current-Continuous ID Drain Current-Pulsed (Note 1) IDM Maximum Power Dissipation PD Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG Limit Unit 19.5 V ±8 V 4 A 25 A 1.25 W -55 To 150 ℃ 100 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) RθJA Electrical Characteristics (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250µA 19.5 21 - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=19.5V,VGS=0V - - 1 µA Page1 www.belling.com.cn V2.2 PDF
Документация на BLM8205 

Subject:

Дата модификации: 14.06.2017

Размер: 332.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.