BLM8205
Pb Free Product
BLM8205
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
D1
D2
The BLM8205 uses advanced trench technology to provide
G1
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
G2
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a
Battery protection or in other Switching application.
S1
S2
Schematic diagram
General Features
● VDS = 19.5V,ID = 4A
Typ.R...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Серия: BLM8205
- Корпус: SOT236L
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT236L | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Примечание | N-Channel Trench MOSFET, SOT23-6L, 19,5 V, 4 A, 0,021 Ohm | |
Ёмкость затвора | ||
Особенности: High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery protection, Load switch, Power management |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJL2302A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | WM02DN70M3 (WAYON) | SOT236 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WM02N50M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | MTM78E2B0LBF (PAN) | WSON-8 | 1 шт | — | — | — | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — | ||||||||
A+ | FK6K02010L (PAN) | WSMini6-F1-B | — | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | CJ8820 (JSCJ) | SOT-23-3 | 3000 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJ8810 (JSCJ) | SOT-23-3 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJ3420 (JSCJ) | SOT-23-3 | в ленте 5 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | CJK8804 (JSCJ) | SOT233L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WM4C62160A (WAYON) | — | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02N75M2 (WAYON) | SOT233L | 1 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJL2312A (YJ) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | |||||||||||||
A+ | WM02DN60M3 (WAYON) | SOT236 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WM02DN70A (WAYON) | TSSOP-8 |
| — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WM02DN50M3 (WAYON) | SOT236 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WM02DN080C (WAYON) | DFN62X3 | — | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJL3416A (YJ) | — | 20 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJL2312AQ (YJ) | — | — | — | |||||||||||||
A+ | YJL2312AL (YJ) | — | в ленте 3000 шт | — | |||||||||||||
A+ | YJJ08N02A (YJ) | SOT236 | в ленте 3000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | JMTL2312A (JIEJIE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | IRLML6244TR (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | WM02N70M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | JMTL2302C (JIEJIE) | SOT-23-3 | 3000 шт | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.