SUNCOYJ представляет новую серию IGBT 650 В, 50 А с интегрированным диодом
23 января
Известный китайский разработчик и производитель полупроводниковых компонентов компания SUNCOYJ объявила о выпуске семейства транзисторов (IGBT) для высокоэффективных преобразователей, используемых в возобновляемых источниках и хранилищах энергии. Новые IGBT (таблица 1) изготовлены по технологии Micro-Trench 1,6 мкм, соответствуют RoHS и имеют восемь вариаций с различными комбинациями основных особенностей:
- интегрированный диод кремниевый (серии DGW и DGZ) или карбид-кремниевый (серии DGWС и DGZС);
- классический корпус TO-247-3L с тремя выводами (серии DGW и DGWC), а также вариант TO-247-4L (серии DGZ и DGZC) с выводом Кельвина для уменьшения влияния паразитной индуктивности эмиттера на выходное напряжение драйвера силового ключа (рисунок 1);
- частота коммутации 20…30 кГц для транзисторов с суффиксом «S» в наименовании или 30…40 кГц с суффиксом «H».
![Рис. 1. Варианты корпусов TO-247-xL и назначения выводов](http://www.compel.ru/wordpress/wp-content/uploads/2024/01/ris_1-2.png)
Рис. 1. Варианты корпусов TO-247-xL и назначения выводов
Общие характеристики новых IGBT:
- минимальное напряжение пробоя, VCE: 650 В;
- максимальное напряжение затвора, VGE: ±20 В;
- пороговое напряжение затвора, VGE(th): 3,0…5,0 В (номинальное 4,0 В);
- диапазон рабочих температур кристалла, Tj: -40…175°C.
Таблица 1. Новые IGBT производства SUNCOYJ напряжением 650 В и током 50(60) А
Наименование | Максимальный ток коллектора при Tj = 100°C, IC, А | Напряжение насыщения, VCEsat при Tj = 25°C и IC = 50А, В | Энергия переключений при Tj = 25°C и IC = 50А, мДж |
Диод | Корпус | |
---|---|---|---|---|---|---|
Включения, Eon | Выключения, Eoff | |||||
DGW50N65CTS2A | 50 | 1,40 | 1,89 | 0,55 | Si | TO247-3L |
DGWC50N65CTH2A | 60 | 1,60 | 2,05 | 0,36 | SiC | |
DGZ50N65CTS2A | 50 | 1,40 | 1,89 | 0,55 | Si | TO247-4L |
DGZC50N65CTS2A | 50 | 1,40 | 1,89 | 0,55 | SiC | |
DGZC50N65CTH2A | 60 | 1,60 | 2,05 | 0,36 |
Наши информационные каналы