SI2302DS-T1-GE3
VBsemi Electronics Co.
SI2302DS-T1-GE3
www.VBsemi.tw
N-Channel 20 V (D-S) MOSFET
FEATURES
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
20
ID (A)e
RDS(on) (Ω)
0.028 at VGS = 4.5 V
6a
0.042 at VGS = 2.5 V
6a
0.050 at VGS = 1.8 V
5.6
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• 100 % Rg Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
Qg (Typ.)
8.8 nC
APPLICATIONS
• DC/DC Converters
• Load...
развернуть ▼ свернуть ▲ Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|
F~ | SI2302A (YOUTAI) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на SI2302DS-T1-GE3
VB1240.PDF Keywords:
Дата модификации: 18.10.2023
Размер: 808.3 Кб
9 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.