IRF7343TR

UMW R IRF7343 Dual N + P Channel MOSFET Features N-Ch : l V DS (V)=55V l RDS(ON) l RDS(ON) 50m 65 m P-Ch : V DS (V)=-55V 105m RDS(ON) l RDS(ON) 170 m l l l l l l l (VGS = 10V) (VGS = 4.5V) N-CHANNEL MOSFET 1 8 S1 (VGS = 10V) (VGS = 4.5V) Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Fully Avalanche Rated Lead-Free D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRF7343TR (INFIN)
  • Корпус: SO-8 SOIC8
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJQ4559 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
±
P= IRF7343TRPBF (VBSEMI)
 

IRF7343TRPBF (INFIN)
в ленте 4000 шт
 
P- NCE603S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- CRMM4978C (CRMICRO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
UMW R IRF7343 Dual N + P Channel MOSFET Features N-Ch : l V DS (V)=55V l RDS(ON) l RDS(ON) 50m 65 m P-Ch : V DS (V)=-55V 105m RDS(ON) l RDS(ON) 170 m l l l l l l l (VGS = 10V) (VGS = 4.5V) N-CHANNEL MOSFET 1 8 S1 (VGS = 10V) (VGS = 4.5V) Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Surface Mount Fully Avalanche Rated Lead-Free D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 P-CHANNEL MOSFET Top View Description The SOP-8 has been modified through a customized leadirame for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. with these improvements. mutipe devices can be used in an appication with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Absolute Maximum Ratings Max. Parameter V DS I D @ TA = 25°C ID @ TA = 70°C IDM P D @TA = 25°C P D @TA = 70°C EAS IAR EAR V GS dv/dt TJ, TSTG Drain-Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ 10V Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current  Maximum Power Dissipation Maximum Power Dissipation Single Pulse Avalanche Energyƒ Avalanche Current Repetitive Avalanche Energy Gate-to-Source Voltage Peak Diode Recovery dv/dt ‚ Junction and Storage Temperature Range N-Channel 55 4.7 3.8 38 P-Channel -55 -3.4 -2.7 -27 2.0 1.3 72 4.7 114 -3.4 0.20 ± 20 5.0 -5.0 -55 to + 150 Units V A W W mJ A mJ V V/ns °C Thermal Resistance Parameter RθJA www.umw-ic.com Typ. Maximum Junction-to-Ambient 1 Max. Units 62.5 °C/W UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на IRF7343TR 

UMW IRF7343TR

Дата модификации: 13.10.2023

Размер: 407 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.