IRF7343TR
UMW
R
IRF7343
Dual N + P Channel MOSFET
Features
N-Ch :
l
V DS (V)=55V
l
RDS(ON)
l RDS(ON)
50m
65 m
P-Ch :
V DS (V)=-55V
105m
RDS(ON)
l RDS(ON)
170 m
l
l
l
l
l
l
l
(VGS = 10V)
(VGS = 4.5V)
N-CHANNEL MOSFET
1
8
S1
(VGS = 10V)
(VGS = 4.5V)
Generation V Technology
Ultra Low On-Resistance
Surface Mount
Fully Avalanche Rated
Lead-Free
D1
G1
2
7
D1
S2
3
6
D2
G2
4
5
D2
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Истор. имя: IRF7343TR (INFIN)
- Корпус: SO-8 SOIC8
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SO-8 SOIC8 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | CJQ4559 (JSCJ) | SO-8 SOIC8 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P= | IRF7343TRPBF (VBSEMI) IRF7343TRPBF (INFIN) | — | в ленте 4000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P- | NCE603S (NCE) | SO-8 SOIC8 | в ленте 4000 шт | — | — | — | |||||||||||
P- | CRMM4978C (CRMICRO) | SOP-8 | в ленте 3000 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.