YJS8205B

SUNCO
RoHS YJS8205B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 7A ＜18mohm ＜22mohm ＜39mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability SOT-23-6L Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absol...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJCD2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ LDN2012DT2AG (LRC)
 
DFN2030
 
 ± — — — — —
A+ CJ6617SP (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJ4506SP (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJS9004 (JSCJ)
 
TSSOP-8
 
 ± — — — — —
A+ CJS8810 (JSCJ)
 
TSSOP-8 10 шт ± — — — — —
A+ CJS8804 (JSCJ)
 
TSSOP-8 ± — — — — —
A+ CJND2004 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJL8810 (JSCJ)
 
SOT236L ± — — — — —
A+ CJCD2007 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJCD2005 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ LDN8205FT1G (LRC)
 
SOT26
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS8205B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ● 100% ▽VDS Tested 20V 7A ＜18mohm ＜22mohm ＜39mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability SOT-23-6L Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±10 V 7 TA=25℃ Drain Current ID A 6.6 TA=70℃ Pulsed Drain Current A IDM TA=25℃ Total Power Dissipation 30 A 1.5 W 0.96 W PD TA=70℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 83 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS8025B F2 8205B 3000 30000 120000 7“ reel 1/7 S-E016 Rev.3.0,25-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS8205B 

Microsoft Word - YJS8205B Rev 3.0

Дата модификации: 24.09.2020

Размер: 1.28 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)