CJ6617SP

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CSP Enhancement Mode Power MOSFET CJ6617SP Dual N-Channel MOSFET VSSS RSS(o n)TYP IS CSPB2217-6 4.9mΩ@4.5V 5.1mΩ@4.0V 20V 4 S2 12A 5.2mΩ@3.8V 5 G2 6 S1 S2 3 5.7mΩ@3.1V G1 2 6.6mΩ@2.5V S1 1 DESCRIPTION The CJ6617SP uses advanced trench technology to provide excellent RSS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages a...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJ6208SP

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ LDN8002DT1AG (LRC)
 
DFN30308D
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CSP Enhancement Mode Power MOSFET CJ6617SP Dual N-Channel MOSFET VSSS RSS(o n)TYP IS CSPB2217-6 4.9mΩ@4.5V 5.1mΩ@4.0V 20V 4 S2 12A 5.2mΩ@3.8V 5 G2 6 S1 S2 3 5.7mΩ@3.1V G1 2 6.6mΩ@2.5V S1 1 DESCRIPTION The CJ6617SP uses advanced trench technology to provide excellent RSS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V while retaining a 12V VGS(MAX) rating. It is ESD protected. This device is suitable for use as a unidirectional or bi-directional load switch, facilitated by its common-drain configuration. Marking and pin assignment 6617 YYMMX Topside view Equivalent Circuit 4 5 6 S2 G2 S2 S1 G1 S1 3 2 1 2 5 G2 G1 Backside view Marking: 1. 6617: Product Code 2. YYMMX: Date Code 3. Solid dot: Pin 1 1,3 Source1 4, 6 2 5 Source2 Gate1 Gate2 1 3 S1 S1 4 6 S2 S2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Source to Source Voltage VSSS 20 V Gate-Source Voltage VGSS ±12 V Source Current(DC) IS ① 12 A Source Current (Pulsed) ISP① ② 120 A Total Power Dissipation PT ① 2.0 W Channel Temperature Tch 150 ℃ Storage Temperature Range TSTG -55 To 150 ℃ www.jscj-elec.com 1 Rev.-1.5 PDF
Документация на CJ6617SP 

Author: Administrator

Дата модификации: 15.12.2021

Размер: 4.66 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    05 мая 2023
    новость

    Сборки MOSFET-транзисторов JSCJ для схемы защиты литий-ионных аккумуляторов

    Развитие рынка литиевых источников питания требует реакции и от рынка полупроводниковых компонентов, предназначенных для модулей зарядки, контроля и защиты аккумуляторов. На рисунке 1 показана типовая схема защиты от перенапряжения, перегрузки,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)