CJ6617SP
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
CSP Enhancement Mode Power MOSFET
CJ6617SP
Dual N-Channel MOSFET
VSSS
RSS(o n)TYP
IS
CSPB2217-6
4.9mΩ@4.5V
5.1mΩ@4.0V
20V
4
S2
12A
5.2mΩ@3.8V
5
G2
6
S1
S2
3
5.7mΩ@3.1V
G1
2
6.6mΩ@2.5V
S1
1
DESCRIPTION
The CJ6617SP uses advanced trench technology to provide excellent
RSS(ON) , low gate charge and operation with gate voltages a...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернутьКонфигурация и полярность | ||
---|---|---|
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | LDN8002DT1AG (LRC) | DFN30308D | ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.