YJQ13N03A

SUNCOYJ
RoHS YJQ13N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 13A ＜12 mohm ＜15 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications DFN2x2-6L ● High current load applications ● Load switchin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJMN3010 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
P= WMR10N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2
 
 — — — — — —
P= NCE3013J (NCE)
 
DFN62X2
 
 ± — — — —
A+ YJS12N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ YJS18N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 8000 шт
 
 — —
A+ CJAB25N04S (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB25N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB25N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB20N03 (JSCJ)
 
— 88 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJQ20N03 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
A+ CJQ13N04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ AO4406A (YOUTAI)
 
SOP-8 в ленте 20 шт
 
 — —
A+ CJAC20N03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ JMTQ120N03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 в ленте 5000 шт
 
 — — — —
A+ NCE3020Q (NCE)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
 ± — — — —
A+ WMR14N03TB (WAYON)
 
DFN62X2
 
 — — — — — —
A+ JMTP3008A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
— 1 шт
 
 — —
A+ AO4410 (YOUTAI)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS13N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ NCE3018AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJQ13N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 13A ＜12 mohm ＜15 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications DFN2x2-6L ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 13 TC=25℃ Drain Current ID A TC=100℃ 8.0 Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 55 A 2.9 W 1.2 W PD TC=100℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 43 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ13N03A F1 Q13N03 3000 30000 120000 7” reel 1/8 S-E607 Rev.3.2,22-Feb-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ13N03AF1 

Microsoft Word - YJQ13N03A Rev. 3.2

Дата модификации: 22.02.2021

Размер: 1.16 Мб

7 стр.

RoHS YJQ13N03A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 30V 13A ＜12 mohm ＜15 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 30 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 13 TC=25℃ Drain Current ID A 8.0 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 55 A 2.9 W 1.2 W PD TC=100℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient B RθJA 43 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJQ13N03A F1 Q13N03 3000 30000 120000 7” reel 1/7 S-E607 Rev.3.0,12-Feb-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJQ13N03A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 22.09.2020

Размер: 664.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)