NCE3013J

NCE3013J http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3013J uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =13A RDS(ON) <12mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <20mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson Schematic...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X2
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJMN3010 (JSCJ)
 
 
±
P= YJQ13N03A (YJ)
 
10 шт
 
P= WMR10N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2
 
A+ YJS18N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 8000 шт
 
A+ CJAC20N03 (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC18SN03 (JSCJ)
 
 
±
A+ WMR14N03TB (WAYON)
 
DFN62X2
 
A+ YJQ20N04A (YJ)
 
 
A+ YJG18N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
A+ NCE3020Q (NCE)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
±
A+ NCE3018AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ JMTQ120N03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJS12N03A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
1 шт
 
A+ JMTP3008A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
A+ AO4410 (YOUTAI)
 
в ленте 3000 шт
 
A+ WMS15N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
A+ WMS14DN03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMS13N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMR13N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ WMR12N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ098N03LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ AO4406A (YOUTAI)
 
SOP-8 в ленте 20 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCE3013J http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3013J uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =30V,ID =13A RDS(ON) <12mΩ @ VGS=10V RDS(ON) <20mΩ @ VGS=4.5V ● High density cell design for ultra low Rdson Schematic Diagram ● Fully characterized Avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application ● Hard Switched and High Frequency Circuits ● Uninterruptible Power Supply DFN2X2-6L bottom view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 3013J NCE3013J DFN2X2-6L Ø180mm 12mm 4000 units Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Drain-Source Voltage VDS Gate-Source Voltage VGS Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current (Note 1) Maximum Power Dissipation Single pulse avalanche energy VDS Spike (Note 5) (Note 6) Limit Unit 30 V ±20 V ID 13 A ID (100℃) 9.2 A IDM 52 A PD 3 W EAS 72 mJ 10μs 36 Operating Junction and Storage Temperature Range V TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 42 ℃/W Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2) Electrical Characteristics (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Condition Min Typ Max Unit Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS VGS=0V ID=250μA 30 - - V Zero Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=30V,VGS=0V - - 1 μA Gate-Body Leakage Current IGSS VGS=±20V,VDS=0V - - ±100 nA On Characteristics (Note 3) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V4.0 PDF
Документация на NCE3013J 

Microsoft Word - NCE3013J data sheet.doc

Дата модификации: 25.11.2021

Размер: 308.3 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.