YJG90G08HJR

RoHS YJG90G08HJR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 80V 90A <3.3mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability R...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: PDFN8L5X6
  • Норма упаковки: 5000  шт.

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WMB060N08LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P= CJAC65SN10 (JSCJ)
 
в ленте 5 шт
 
P= YJG60G10B (YJ)
 
 
P= WMB099N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
P= NCEP095N10AG (NCE)
 
 
P= CRSM055N10L2 (CRMICRO)
 
PDFN568
 
P= CRSM120N10L2 (CRMICRO)
 
PDFN568
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на YJG90G08HJR 

Дата модификации: 23.03.2023

Размер: 695.7 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.