Вход / Регистрация

CRSM055N10L2

CR Micro
CRSM055N10L2 SkyMOS2 N-MOSFET 100V, 4.8mΩ, 80A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology VDS 100V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.8mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A • Qualified according to JEDEC criteria Applications • Motor control and drive 100% Avalanche Tested • Battery management • UPS (Uninterrup...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CRSM055N10L2
  • Корпус: PDFN568

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= CRSM120N10L2 (CRMICRO)
 
PDFN568
 
P= WMB060N08LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P= NCEP095N10AG (NCE)
 
— в ленте 50 шт
 
P= WMB099N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
P= NCE0160AG (NCE)
 
—
 
P= YJG60G10B (YJ)
 
—
 
P= CJAC65SN10 (JSCJ)
 
— в ленте 5 шт
 
P- NCEP01T10G (NCE)
 
—
 
P- WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
P- YJG90G10A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 
P- JMSH1006AG (JIEJIE)
 
—
 

Файлы 1

показать свернуть
CRSM055N10L2 SkyMOS2 N-MOSFET 100V, 4.8mΩ, 80A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology VDS 100V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) 4.8mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID 80A • Qualified according to JEDEC criteria Applications • Motor control and drive 100% Avalanche Tested • Battery management • UPS (Uninterrupible Power Supplies) CRSM055N10L2 Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package CRSM055N10L2 - DFN 5X6 Packing Tube Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 50pcs Symbol Value Unit VDS 100 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) TC = 25°C (Package limit) ID TC = 100°C (Silicon limit) Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) 111 80 A 70 ID pulse 320 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω)[1] EAS 289 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 125 W Tj , T stg -55...+150 °C Operating junction and storage temperature ※. Notes:1.EAS was tested at starting Tj = 25℃, ID = 34A. ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRSM055N10L2 

CRSM055N10L2 WDD DS _v 1.0x Keywords:

Дата модификации: 11.03.2020

Размер: 488.2 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.