Вход / Регистрация

YJG210G06AR

SUNCO
RoHS YJG210G06AR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 210A ＜1.6mohm ＜2.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammabi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0601AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0601ATLQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0601AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJG210G06AR COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 210A ＜1.6mohm ＜2.5mohm General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power switching application ● Uninterruptible power supply ● PD charge ● DC-DC convertor ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 25 TA=25℃ 15 TA=100℃ Drain Current ID A TC=25℃ 210 TC =100℃ 132 Pulsed Drain Current A IDM 840 A Avalanche energy B EAS 576 mJ 2.2 TA=25℃ 0.9 TA=100℃ Total Power Dissipation C PD W TC=25℃ 208 TC =100℃ 83 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Thermal Resistance Junction-to-Case Symbol Typ Max Steady-State RθJA 45 55 Steady-State RθJC 0.5 0.6 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG210G06AR F1 G210G06AR 5000 10000 100000 13“ reel 1/8 S-E455 Rev.1.0,27-Oct-23 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG210G06AR 

Дата модификации: 27.10.2023

Размер: 760.9 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    25 января 2024
    новость

    SUNCO представляет новые MOSFET семейства N60V

    Компания SUNCO продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение до... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)