JMSH0601ATLQ-13

JIEJIE
JMSH0601ATLQ 60V 1.2m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Ultra‐low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit • Low Gate Charge, Qg VDS 60 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (2) 328 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.2 m • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PowerJE®10...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0601ATL-13 (JIEJIE)
 
PGHSOF8 в ленте 2000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMSH0601ATLQ 60V 1.2m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features • Ultra‐low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit • Low Gate Charge, Qg VDS 60 V VGS(th)_Typ 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (2) 328 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.2 m • 100% UIS and Rg Tested • Pb-free Lead Plating • Halogen-free and RoHS-compliant • AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PowerJE®10x12 Top PowerJE®10x12 Bottom Drain Tab Gate Pin 1 S Pin 1 G Source Pin 1 Pins 2‐8 Ordering Information Device Package JMSH0601ATLQ-13 ® PowerJE 10x12 (1) # of Pins Marking MSL TJ (°C) Media Quantity (pcs) 8 SH0601A 1 -55 to 175 13-inch Reel 2000 Note 1: PowerJE® is a registered trademark of JieJie Micro., its package outline is compatible to that of TO-LeadLess (TOLL). Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Value Unit Drain-to-Source Voltage VDS 60 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Parameter TC = 25°C Continuous Drain Current (2) 328 ID TC = 100°C A 232 Pulsed Drain Current (3) IDM 1313 Avalanche Current (4) IAS 40 A Avalanche Energy (4) EAS 480 mJ Power Dissipation (5) TC = 25°C 333 PD TC = 100°C W 167 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range A -55 to 175 °C RDS(ON) vs. VGS Gate Charge 3.6 10 VDS = 30V ID = 20A ID = 20A 8 2.4 VGS (V) RDS(ON) (m) 3.0 1.8 6 4 1.2 2 0.6 0.0 0 0 5 10 15 20 0 20 Rev. 1.1 40 60 80 100 120 Qg (nC) VGS (V) JieJie Microelectronics Co., Ltd. All product information are copyrighted and subject to legal disclaimers Page 1 of 6 PDF
Документация на JMSH0601ATLQ-13 

JMSH0601ATLQ_Rev1.1.xlsx

Дата модификации: 19.07.2022

Размер: 382.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)