ASZM025065P

Anbon
ASZM025065P N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)TYP. ID@25℃ 650V 26mΩ@18V 105A Feature Application  Wide bandgap SiC MOSFET technology  Switch mode power supplies  Low On-Resistance with High Blocking Voltage  Renewable energy  Low Capacitances with High-Speed switching  Motor drives  Low reverse recovery(Qrr)  High voltage DC/D...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2473
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= YJD206520NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
P= ATSCM30G65W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
ASZM025065P N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)TYP. ID@25℃ 650V 26mΩ@18V 105A Feature Application  Wide bandgap SiC MOSFET technology  Switch mode power supplies  Low On-Resistance with High Blocking Voltage  Renewable energy  Low Capacitances with High-Speed switching  Motor drives  Low reverse recovery(Qrr)  High voltage DC/DC converters Package Marking Circuit diagram ASZM025065P XXXXXX G TO-247-3 D S Absolute maximum ratings (TC=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Test Condition Value Unit 650 V Drain-Source Voltage VDSmax VGS = 0V, ID =100µA Gate-Source Voltage VGSmax AC (f > 1 Hz) -10/+25 V Gate-Source Voltage VGSOP Static -4/+18 V Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Power Dissipation Thermal Resistance(Typ.) ID VGS =18V,TC=25℃ 105 A ID VGS =18V,TC=100℃ A Pulse with tp limited by Tjmax at 1 ms Pulse with tp limited by Tjmax at 100 µs TC=25℃ 74 188 340 341 W Junction-to-Case 0.44 ℃/W ID,pulse PD RθJC A Junction Temperature TJ -55 ~ +175 ℃ Storage Temperature TSTG -55 ~ +175 ℃ Page 1 Document ID Issued Date Revised Date Revision Page. AS-3270076 2013/03/08 2024/02/20 B 6 PDF
Документация на ASZM025065P 

Subject:

Дата модификации: 20.02.2024

Размер: 1.56 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    08 июля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

    Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)