ASZM025065P
ASZM025065P
N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET
Product Summary
V(BR)DSS
RDS(on)TYP.
ID@25℃
650V
26mΩ@18V
105A
Feature
Application
Wide bandgap SiC MOSFET technology
Switch mode power supplies
Low On-Resistance with High Blocking Voltage
Renewable energy
Low Capacitances with High-Speed switching
Motor drives
Low reverse recovery(Qrr)
High voltage DC/D...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2473
- Норма упаковки: 30 шт. (в линейках)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO2473 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | YJD206520NCTGH (YJ) | TO2473 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
P= | ATSCM30G65W (ATELECT) | TO2474 | в линейках 30 шт | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.