YJD106520NCTG1

Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 650 В, ток до 35 А, с падением напряжения 1.6 В, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 35A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= WSRSIC020065NP8 (WAYON)
 
TO2473 30 шт
 
P= G3S06516B (GPT)
 
TO2473 в линейках 200 шт
P= WSRSIC016065NPS (WAYON)
 
30 шт
 
P= G4S06520BT (GPT)
 
TO2473 в линейках 30 шт

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD106520NCTG1 COMPLIANT Silicon Carbide Schottky Diode VRRM Features 650V ● Positive temperature coefficient ● Temperature-independent switching ● Maximum working temperature at 175 °C ● Unipolar devices and zero reverse recovery current ● Zero forward recovery current ● Essentially no switching losses ● Reduction of heat sink requirements ● High-frequency operation ● Reduction of EMI (2) IF(135°C) 30A QC 45.6nC (2) Typical Applications Typical applications are in power factor correction(PFC), solar inverter, uninterruptible power supply, motor drives, photovoltaic inverter, electric car and charger. Mechanical Data ● Package: TO-247AB ● Terminals: Tin plated leads ● Polarity: As marked ■Maximum Ratings (TC=25℃ Unless otherwise specified) PARAMTETER SYMBOL UNIT Device marking code VALUE D106520NCTG1 Reverse voltage (repetitive peak) @ Tj=25°C VRRM V 650 Reverse voltage (Surge Peak) @ Tj=25°C VRSM V 650 Reverse voltage (DC) @ Tj=25°C VDC V 650 Continuous forward current @ Tc=25°C (Per leg/ Device) 35/70 Continuous forward current @ Tc=135°C (Per leg/ Device) IF A Continuous forward current @ Tc=151°C (Per leg/ Device) 10/20 Non-repetitive peak forward surge current @ Tc=25°C, tp=10ms, Half Sine Wave Power Dissipation@ Tc=25°C (Per leg/ Device) IFSM A PTOT W 50 (1) 94/187 Power Dissipation@ Tc=110°C (Per leg/ Device) 41/82 2 2 2 i t Value@ Tc=25°C ,tp=10ms ∫i dt A S Operating junction and Storage temperature range Tj ,Tstg °C (1) 15/30 (1) 12.5 -55 to +175 Per Leg, (2) Per Device 1/6 S-SIC027 Rev.1.0,21-Jan-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD106520NCTG1 

Microsoft Word - YJD106520NCTG1

Дата модификации: 21.01.2022

Размер: 565.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.