HPP800R300PD-G

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HPP800R300PD-G General Description： VDSS(Tjmax) 850 V ID 17 A MOSFETs, is obtained by the super junction technology which PD(T C=25℃) 208 W reduces the conduction loss, improve switching performance and RDS(ON)Typ 0.26 Ω Eoss@400V 3.5 uJ HPP800R300PD-G, the silicon N-channel Enhanced enhance the avalanche energy. The transistor can be u...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJB17C80HJ (YJ)
 
— 12 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ HPP800R300PD-G General Description： VDSS(Tjmax) 850 V ID 17 A MOSFETs, is obtained by the super junction technology which PD(T C=25℃) 208 W reduces the conduction loss, improve switching performance and RDS(ON)Typ 0.26 Ω Eoss@400V 3.5 uJ HPP800R300PD-G, the silicon N-channel Enhanced enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package type is TO-220 which accords with the RoHS standard. Features： l Fast Switching l Low Gate Charge l Low Reverse transfer capacitances l 100% Single Pulse avalanche energy Test l Halogen Free l Zener-Protected Applications： Power switch circuit of adaptor, charger and LED. Absolute（Tj= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS Rating Units Drain-to-Source Voltage( VGS=0V) 800 V Continuous Drain Current T C = 25 °C 17 A Pulsed Drain Current T C = 25 °C 51 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 520 mJ Peak Diode Recovery dv/dt 15 V/ns dv/dt MOSFET dv/dt ruggedness 50 V/ns dif /dt Maximum diode communication speed 500 A/us PD Power Dissipation(T C=25°C) 208 W VESD(G-S) Gate source ESD (HBM-C= 100pF, R=1.5kΩ) 3000 V TJ ，T stg Operating and Storage Temperature Range –55…+150 ℃ ID a1 IDM a2 VGSS EAS a3 dv/dt a4 W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . Pag e 1 of 1 0 2 0 2 1 V0 1 PDF
Документация на HPP800R300PD-G 

HPP800R300PD-G[1]

Дата модификации: 29.09.2021

Размер: 459.6 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)