HPP800R300PD-G
Silicon
N-Channel
Power MOSFET
R
○
HPP800R300PD-G
General Description:
VDSS(Tjmax)
850
V
ID
17
A
MOSFETs, is obtained by the super junction technology which
PD(T C=25℃)
208
W
reduces the conduction loss, improve switching performance and
RDS(ON)Typ
0.26
Ω
Eoss@400V
3.5
uJ
HPP800R300PD-G, the silicon N-channel Enhanced
enhance the avalanche energy. The transistor can be u...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO-220-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO-220-3 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора | ||
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJB17C80HJ (YJ) | — | 12 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на HPP800R300PD-G
HPP800R300PD-G[1]
Дата модификации: 29.09.2021
Размер: 459.6 Кб
10 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.