SS8550

Yangjie
RoHS SS8550 COMPLIANT Plastic-Encapsulate Transistors ■Features ■External and internal structure ●IC -1.5A ●PC 300mW ● PNP ■ Applications ●Amplification Effect ■ Marking Y2 ■Maximum Rantings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Item Symbol Unit Conditions Value Collector-Base Voltage VCBO V -40 Collector-Emitter Voltage VCEO V -25 Emitter-Base Voltage VEBO V -5 Collector Curr...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= SS8550 (SHIKUES)
 

SS8550 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= SS8550 (YOUTAI)
 

SS8550 (ONS-FAIR) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — —
P- SS8550-L (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P- SS8550-H (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS8550 COMPLIANT Plastic-Encapsulate Transistors ■Features ■External and internal structure ●IC -1.5A ●PC 300mW ● PNP ■ Applications ●Amplification Effect ■ Marking Y2 ■Maximum Rantings (Ta=25℃ unless otherwise noted) Item Symbol Unit Conditions Value Collector-Base Voltage VCBO V -40 Collector-Emitter Voltage VCEO V -25 Emitter-Base Voltage VEBO V -5 Collector Current IC A -1.5 Total Device Dissipation PC mW 300 RΘJA ℃/W 417 Junction Temperature Tj ℃ 150 Storage Temperature TSTG ℃ -55 to +150 Thermal Resistance From Junction To Ambient ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） Item Symbol Unit Conditions Min Typ Max Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO V IC=-100uA,IE=0 -40 Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* V IC =-1mA,IB=0 -25 Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO V IE=-100uA,IC=0 -5 Collector cut-off current ICBO nA VCB=-40V,IE=0 -100 Collector cut-off current ICEO nA VCE=-20V, IB =0 -100 Emitter cut-off current IEBO nA VEB=-5V, IC =0 -100 hFE(1) V VCE=-1V,IC=-100mA 120 hFE(2) V VCE=-1V,IC=-800mA 40 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) V IC=-800mA,IB=-80mA -0.5 Base-emitter saturation voltage VBE(sat) V IC=-800mA,IB=-80mA -1.2 fT MHz Cob pF DC current gain Transition frequency Collector output capacitance VCE=-10V,IC=-50mA,f=30MHz 400 100 VCB=-10V, IE=0, f=1MHz 20 ■CLASSIFICATION OF hFE RANK L H J RANGE 120-200 200-350 300-400 Document Number S-S258 Rev. 1.0, 20-Dec-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS8550H 

Microsoft Word - SS8550-SOT23

Дата модификации: 20.12.2014

Размер: 193.3 Кб

3 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)