SS310

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 3 А, с падением напряжения 850 мВ, ёмкостью перехода 165 пФ, производства SUNCO (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AB
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P+ SS510 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB
P= SS310CG (SHIKUES)
 
DO214AB
 
P= SK310 (JSCJ)
 
в ленте 65 шт
 
P= SM3100C (LRC)
 
DO-214AB SMC
 
P= SS310 (YOUTAI)
 
DO-214AC SMA в ленте 300 шт
P= SK310 SMCG (JSCJ)
 
DO214AB 3000 шт
 
P= SL310-C (ANBON)
 
DO214AB
 
A- SK310 (DC)
 
DO214AB в ленте 3000 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- SS310 (TSC)
 
DO214AB 1 шт Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB
A- 30BQ100 (KLS)
 
DO214AB 1 шт
A- SSL510 (YJ)
 
DO214AB в ленте 3000 шт
 
A- SS310Q (YJ)
 
DO214AB
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS SS32 THRU SS320 COMPLIANT Surface Mount Schottky Rectifier Features ● Guardring for overvoltage protection ● Low power losses ● Extremely fast switching ● High forward surge capability ● High frequency operation ● Solder dip 260 °C max. 10s, per JESD 22-B106 Typical Applications For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications. Mechanical Data ● Package: DOMolding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD002 and JESD22-B102 ● Polarity: Color band denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code SS32 SS34 SS36 SS310 SS315 SS320 SS32 SS34 SS36 SS310 SS315 SS320 20 40 60 100 150 200 VRRM V IO A 3.0 Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 70 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~+150 Junction Temperature Tj ℃ Repetitive Peak Reverse Voltage Average Rectified Output Current @60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1) -55~+125 -55 ~+150 ■Electrical Characteristics(Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR mA Typical junction capacitance Cj pF TEST CONDITIONS IFM =3.0A SS32 SS34 0.50 SS36 SS310 0.70 0.85 SS315 0.90 Ta=25℃ 0.2 0.1 Ta=100℃ 20 5.0 Measured at 1MHZ and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C. 180 150 130 SS320 80 1/4 S-S136 Rev. 2.3, 28-Apr-14 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на SS310 

T10XB型(SIP)硅橋式整流器

Дата модификации: 29.08.2018

Размер: 873.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.