BAS416

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1.25 В, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOD323
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Монтаж
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 41

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= LBAS316T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4448WS (YJ)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (ANBON)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — —
P= L1SS356T1G (LRC)
 
SOD323
 
 — — — — —
P= BAS316 (SHIKUES)
 
SOD323 в ленте 500 шт
 
 — — — — — —
P= LMDL914T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
P= MMBD4148 (ANBON)
 

MMBD4148 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= LBAS16HT1G (LRC)
 
SOD323 1 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= BAS316Q (YJ)
 
SOD323
 
P= 1N4148WSQ (YJ)
 
SOD323
 
P= BAS316 (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAS16WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= MMDL914 (JSCJ)
 
SOD323 в коробках 3000 шт
 
 — —
P= 1N4448WS (JSCJ)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= BAS16 (JSCJ)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS316 (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS16WX (JSCJ)
 
SOD323
 
 — —
P= 1N4148WS (SHIKUES)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (DIODES) 		SOD323 550 шт
 
 — — — — — —
P= 1N4448WS (SHIKUES)
 

1N4448WS (DIODES) 		SOD323
 
 — — — — — —
P= BAS16 (SHIKUES)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P= 1N4148W (ANBON)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123
 
 — — — —
P= BAS16 (YJ)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= LBAS16LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBD914 (ANBON)
 

MMBD914 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= 1N4148WS (JSCJ)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 6000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= MMBD4148A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM)
P= 1N4148G-CA2-R (UTC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= LMBD6050LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAV19WS (JSCJ)
 

BAV19WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= 1N4148W (JSCJ)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (DC)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — — — —
P= BAS16WT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= BAS16W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
P= LBAS16WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= BAV16W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 60 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (YJ)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
A- BAV19WSQ (YJ)
 
SOD323
 
A- BAV316 (JSCJ)
 
SOD323
 
 — —
A- BAV19WS (YJ)
 

BAV19WS (DIODES) 		SOD323 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 120V V(RRM), Silicon
A- BAS16WSQ (YJ)
 
SOD323
 
A- 1N4148G-CB2-R (UTC)
 
SOD323 в ленте 3000 шт —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS BAS416 COMPLIANT Small-Signal Fast Switching Diodes Features ● VR 100V ● IFAV 200mA Typical Applications ●Low-Leakage Mechanical Data ● Package: SOD323 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ●Marking: D4 ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Repetitive peak reverse voltage SYMBOL Conditions UNIT VALUE VRRM V 85 Reverse voltage VR V 100 Peak forward surge current IFSM A Average forward current IFAV mA 200 Power dissipation Ptot mW 250 Tj ℃ 150 Tstg ℃ -55 to +150 Maximum junction temperature Storage temperature range Non-Repetitive t = 1 μs 4 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Breakdown Voltage Forward Voltage Reverse Leakage Current Symbol UNIT VR V VF IR Conditions IR=100uA Min Max 100 IF=1mA 0.9 IF=10mA 1.0 IF=50mA 1.1 IF=150mA 1.25 V nA VR=75V 5 Capacitance C pF VR=0V,f=1MHz 4 Reverse Recovery Time Trr us IF=IR=10mA，Irr=1mA, RL=100Ω 3 1/4 S-S2017 Rev.1.2,18-Sep-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BAS416 

Microsoft Word - BAS416-SOD323

Дата модификации: 18.09.2020

Размер: 317.4 Кб

4 стр.

RoHS BAS416 COMPLIANT Small-Signal Fast Switching Diodes Features ● VR 100V ● IFAV 200mA Typical Applications ●Low-Leakage Mechanical Data ● Package: SOD323 ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ●Marking: D4 ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Repetitive peak reverse voltage SYMBOL Conditions UNIT VALUE VRRM V 85 Reverse voltage VR V 100 Peak forward surge current IFSM A Average forward current IFAV mA 200 Power dissipation Ptot mW 250 Tj ℃ 150 Tstg ℃ -55 to +150 Maximum junction temperature Storage temperature range Non-Repetitive t = 1 μs 4 ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER Breakdown Voltage Forward Voltage Reverse Leakage Current Symbol UNIT VR V VF IR Conditions IR=100uA Min Max 100 IF=1mA 0.9 IF=10mA 1.0 IF=50mA 1.1 IF=150mA 1.25 V nA VR=75V 5 Capacitance C pF VR=0V,f=1MHz 4 Reverse Recovery Time Trr us IF=IR=10mA，Irr=0.1*IR, RL=100Ω 3 1/4 S-S2017 Rev.1.1,24-Jan-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BAS416 

Microsoft Word - BAS416-SOD323

Дата модификации: 25.01.2019

Размер: 241.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    10A10 (YJ)