LBAS16LT1G

LRC
Диод выпрямительный на напряжение до 75 В, ток до 200 мА, с падением напряжения 1 В, производства LRC (LRC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 36

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MMBD4148 (ANBON)
 

MMBD4148 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= 1N4148WS (ANBON)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (ONS-FAIR) 		SOD323
 
 — — — —
P= BAS16 (SHIKUES)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — — — —
P= MMBD914 (ANBON)
 

MMBD914 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3
 
 — — — —
P= BAS16 (YJ)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= BAS16 (JSCJ)
 

BAS16 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= MMBD4148A (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM)
P= 1N4448WS (JSCJ)
 

1N4448WS (ONS-FAIR) 		SOD323 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= BAS316 (SHIKUES)
 
SOD323 в ленте 500 шт
 
 — — — — — —
P= BAS316Q (YJ)
 
SOD323
 
P= 1N4148WSQ (YJ)
 
SOD323
 
P= BAS316 (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= MMDL914 (JSCJ)
 
SOD323 в коробках 3000 шт
 
 — —
P= BAS316 (JSCJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS16WX (JSCJ)
 
SOD323
 
 — —
P= 1N4148WS (SHIKUES)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (ONS-FAIR) 		SOD323 550 шт
 
 — — — — — —
P= BAS16WS (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4448WS (YJ)
 

1N4448WS (ONS-FAIR) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4448WS (SHIKUES)
 

1N4448WS (ONS-FAIR) 		SOD323 в ленте 15 шт
 
 — — — — — —
P= LMDL914T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
P= LBAS316T1G (LRC)
 
SOD323 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.25A, 100V V(RRM), Silicon
P= LBAS16HT1G (LRC)
 
SOD323 1 шт — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (JSCJ)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (ONS-FAIR) 		SOD323 в ленте 6000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= LMBD6050LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= 1N4148W (DC)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — — — —
P= 1N4148W (JSCJ)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148G-CA2-R (UTC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= BAS16W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —
P= BAV19WS (JSCJ)
 

BAV19WS (DIODES) 		SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — —
P= BAS16WT (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= LBAS16WT1G (LRC)
 
SOT-323-3
 
 — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 75V V(RRM), Silicon
P= BAV16W (JSCJ)
 
SOD123 в ленте 60 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= L1SS356T1G (LRC)
 
SOD323
 
 — — — — —
P= BAS416 (YJ)
 
SOD323 в ленте 3000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 85V V(RRM), Silicon
P= 1N4148WS (YJ)
 

1N4148WS SOD-323 T4 (JSCJ)
1N4148WS (ONS-FAIR) 		SOD323 в ленте 3000 шт — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= 1N4148W (ANBON)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123
 
 — — — —

Файлы 2

показать свернуть
LBAS16LT1G S-LBAS16LT1G Switching Diode 1. FEATURES ● We declare that the material of product compliance with SOT23(TO-236) RoHS requirements and Halogen Free. ● S- prefix for automotive and other applications requiring unique site and control change requirements; AEC-Q101 3 CATHODE qualified and PPAP capable. 1 ANODE 2. DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES Device Marking Shipping LBAS16LT1G A6 3000/Tape&Reel LBAS16LT3G A6 10000/Tape&Reel 3. MAXIMUM RATINGS(Ta = 25ºC) Parameter Continuous Reverse Voltage Peak Forward Current Peak Forward Surge Current Symbol Limits Unit VR IF IFSM 100 200 500 V mA mA Symbol Limits Unit PD 225 mW 1.8 mW/℃ RθJA 556 ℃/W PD 300 mW 2.4 mW/℃ RθJA 417 TJ , Tstg -55~+150 ℃/W ℃ 4. THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Total Device Dissipation FR– 5 Board, (Note 1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (Note 2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Leshan Radio Company, LTD. Rev.B Apr. 2023 1/4 PDF
Документация на LBAS16LT1G 

Дата модификации: 21.04.2023

Размер: 254.7 Кб

5 стр.

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Switching Diode ƽ We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. LBAS16LT1G S-LBAS16LT1G ƽ S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Device Marking LBAS16LT1G S-LBAS16LT1G LBAS16LT3G S-LBAS16LT3G Shipping 3 A6 3000/Tape&Reel A6 10000/Tape&Reel 1 2 MAXIMUM RATINGS Rating SOT–23 Symbol Value Unit Continuous Reverse Voltage VR Peak Forward Current Peak Forward Surge Current IF 75 200 500 Vdc mAdc mAdc I FM(surge) 3 CATHODE 1 ANODE THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR– 5 Board, (1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient Junction and Storage Temperature Symbol Max Unit PD 225 mW RθJA PD 1.8 556 300 mW/°C °C/W mW RθJA TJ , Tstg 2.4 417 –55 to +150 mW/°C °C/W °C ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25°C unless otherwise noted) Characteristic Symbol Min Max Unit — — — 1.0 50 30 75 — — — — — 715 855 1000 1250 CD — 2.0 pF V FR –- 1.75 Vdc t rr — 6.0 ns QS — 45 pC OFF CHARACTERISTICS Reverse Voltage Leakage Current (V R = 75Vdc) (V R = 75 Vdc, T J = 150°C) (V R = 25 Vdc, T J = 150°C) Reverse Breakdown Voltage (I BR = 100 µAdc) Forward Voltage (I F = 1.0 mAdc) (I F = 10 mAdc) (I F = 50 mAdc) (I F = 150 mAdc) Diode Capacitance (V R = 0, f = 1.0 MHz) Forward Recovery Voltage (I F = 10 mAdc, t r = 20ns ) Reverse Recovery Time (I F = I R = 10 mAdc, R L = 50 Ω) Stored Charge (I F = 10 mAdc to V R= 5.0Vdc, R L = 500 Ω) µAdc IR V (BR) VF Vdc mV 1. FR–5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. Rev.O 1/3 PDF
Документация на LBAS16LT1G 

Дата модификации: 20.08.2012

Размер: 67 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)