NCE2025S

NCE
Pb Free Product NCE2025S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2025S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ●VDS =20V,ID =25A Schematic diagram RDS(ON) < 4mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) < 6mΩ @ VGS=2.5V ● High density cell ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCE2025S http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE2025S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ●VDS =20V,ID =25A Schematic diagram RDS(ON) < 4mΩ @ VGS=4.5V RDS(ON) < 6mΩ @ VGS=2.5V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized Avalanche voltage and current Application ● DC/DC Converter ● Battery protection Marking and pin Assignment SOP-8 top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE2025S NCE2025S SOP-8 Ø330mm 12mm 2500 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V ID 25 A ID (100℃) 17.7 A Pulsed Drain Current IDM 140 A Maximum Power Dissipation PD 2.5 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 50 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TA=100℃) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2) Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd Page 1 v1.0 PDF
Документация на NCE2025S 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Дата модификации: 29.12.2015

Размер: 408.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)