WMM09N60C2

WML0 09N60C2, WMH09N60C2, WM MM09N60C C2 WMO0 09N60C2, WMP09N60C2, WM MG09N60C C2 600V V 0.83Ω Super Junction n Power MOSFET Descrip ption D TM WMOS C2 is Wa ayon’s 2 nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge S balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is G TO-22 20F suitable fo or applicatt...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO09N65C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 10 шт
 
A+ WMK09N60C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WML11N65C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WML11N60C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WML09N65C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WML09N60C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WMK14N70C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK14N60C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK11N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK10N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK09N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMO14N70C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMP14N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMF10N60C2 (WAYON)
 
SOT-223
A+ WMP14N60C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP11N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP11N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP09N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ CRJD360N70G2 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ WML14N70C2 (WAYON)
 
TO220F
 

Файлы 1

показать свернуть
WML0 09N60C2, WMH09N60C2, WM MM09N60C C2 WMO0 09N60C2, WMP09N60C2, WM MG09N60C C2 600V V 0.83Ω Super Junction n Power MOSFET Descrip ption D TM WMOS C2 is Wa ayon’s 2 nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge S balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is G TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior S D G G D S TO O-263 TO-251 D power density and outstanding efficiency. Features S G G VDS =6 650V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.83 3Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S G TO-251S3 TO-25 52  D D S TO-251S2 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMH//WMM/WMO/W WMP/WMG WML Unit VDSSS 600 V ID 6 A 3.6 A IDM M 12 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 26 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.1 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 0.9 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 45 26 W 0.36 0.21 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 6 A IS,puulse 12 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMH//WMM/WMO/W WMP/WMG WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2.8 4.9 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2017 Doc.W08 860003 1 / 10 PDF
Документация на WML09N60C2 

Microsoft Word - WMx09N60C2 W0860003 V2.0

Дата модификации: 28.07.2022

Размер: 566.2 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.