WMM058N12HG2

WAYON
WMM058N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM058N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device D is well suited for high efficiency fast switching applications. G Features ⚫ S TO-263 VDS= 120V, ID = 160A(Silicon ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMM058N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM058N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device D is well suited for high efficiency fast switching applications. G Features ⚫ S TO-263 VDS= 120V, ID = 160A(Silicon Limited) RDS(on) < 5.8mΩ @ VGS = 10V ⚫ High Speed Power Switching ⚫ Low Gate Charge RoHS ⚫ Low RDS(ON) compliant ⚫ 100% EAS Guaranteed D G Applications ⚫ Synchronous Rectification in SMPS ⚫ Hard Switching and High Speed Circuit ⚫ UPS ⚫ Motor Control ⚫ Power Tools S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 120 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current1(Silicon Limited) 160 TC=25℃ ID TC=100℃ Continuous Drain Pulsed Drain Current1(Package Limited) Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TC=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range A 121 TC=25℃ Current2 114 IDM 495 A EAS 460.8 mJ IAS 48 A PD 260.4 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 59 RθJC 0.48 Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 Thermal Resistance from Junction-to-Case1 Rev.2.0, 2020 Doc:W0803376 °C/W 1 / 6 PDF
Документация на WMM058N12HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 26.07.2022

Размер: 500.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)