WMM049N12HG2

WAYON
WMM049N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM049N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This device G is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features  S VDS= 120V, ID = 170A(Silicon ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMM049N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM049N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This device G is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features  S VDS= 120V, ID = 170A(Silicon Limited) RDS(on) < 4.9mΩ @ VGS = 10V  High Speed Power Switching  Low Gate Charge  Low RDS(ON)  100% EAS Guaranteed D RoHS compliant G Applications  Battery Protection  Synchronous Rectification S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 120 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current1(Silicon Limited) TC=25°C ID TC=100°C Pulsed Drain Current2 Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range 170 117 A IDM 495 A EAS 460.8 mJ IAS 48 A PD 304.8 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 56 RθJC 0.41 Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 Thermal Resistance from Junction-to-Case1 Rev.1.0, 2020 Doc:W0803444 °C/W 1 / 6 PDF
Документация на WMM049N12HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 07.12.2022

Размер: 510.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)