WML12N100C2

WAYON
WML12N100C2, WMM W M12N100C C2 WMN12N N100C2, WMJ12N10 W 00C2, WMK K12N100C C2 1000V 0.68Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance G D and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is S G S D G TO-22 20F suitable fo or ap...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMJ10N80D1B (WAYON)
 
TO-247-3
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ WML12N105C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML12N100C2, WMM W M12N100C C2 WMN12N N100C2, WMJ12N10 W 00C2, WMK K12N100C C2 1000V 0.68Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance G D and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is S G S D G TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D S TO-220 T D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-26 63  VDS =1 1050V @ Tj,max  Typ. RDS(on) =0.68 8Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) WM MN/WMM/WM MJ/WMK Pulsed drain current Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) Unit VDSSS 1000 V ID 6.8 A 4 A IDM M 18 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) 2) WML EAS A 100 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.1 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 1.4 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge 1) Continuous diode forward d current Diode pulse e current2) 150 35 W 1.2 0.28 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 6.8 A IS,puulse 18 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MN/WMM/WM MJ/WMK WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.85 3.7 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 202 20 Doc.W089 90016 1 / 10 PDF
Документация на серию WMx12N100C2 

Microsoft Word - WMx12N100C2 W0890016 V2.0

Дата модификации: 14.04.2022

Размер: 653.2 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)