WML12N105C2

WAYON
WML12N105C2, WMM12N105C2 WMN12N105C2, WMJ12N105C2, WMK12N105C2 1050V 0.68Ω Super Junction Power MOSFET Description WMOSTM C2 is Wayon’s 2nd generation super junction MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. WMOSTM C2 is G D S G S D G TO-220F TO-262 D S TO-220 suitable for applications which require su...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220F
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
WML12N105C2, WMM12N105C2 WMN12N105C2, WMJ12N105C2, WMK12N105C2 1050V 0.68Ω Super Junction Power MOSFET Description WMOSTM C2 is Wayon’s 2nd generation super junction MOSFET family that is utilizing charge balance technology for extremely low on-resistance and low gate charge performance. WMOSTM C2 is G D S G S D G TO-220F TO-262 D S TO-220 suitable for applications which require superior D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-263  VDS =1100V @ Tj,max  Typ. RDS(on) =0.68Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen free D S TO-247 D RoHS compliant Applications G LED Lighting, Charger, Adapter, PC, LCD TV, Server S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Drain-source voltage Continuous drain current1) ( TC = 25°C ) WMN/WMM/WMJ/WMK WML Unit VDSS 1050 V ID 6.8 A 4 A ( TC = 100°C ) Pulsed drain current2) IDM 18 A Gate-source voltage VGS ±30 V Avalanche energy, single pulse3) EAS 100 mJ Avalanche energy, repetitive2) EAR 0.1 mJ repetitive2) IAR 1.4 A Avalanche current, Power dissipation ( TC = 25°C ) PD - Derate above 25°C Operating and storage temperature range 150 35 W 1.2 0.28 W/°C Tj, Tstg -55 to +150 °C Continuous diode forward current1) IS 6.8 A current2) IS,pulse 18 A Diode pulse Thermal Characteristics Parameter Symbol WMN/WMM/WMJ/WMK WML Unit Thermal resistance, junction-to-case RθJC 0.85 3.7 °C/W Thermal resistance, junction-to-ambient RθJA 62 80 °C/W Rev.3.0, 2022 Doc.W0890021 1 / 12 PDF
Документация на WML12N105C2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 22.06.2022

Размер: 923.9 Кб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)