WMJ26N60FD

WAYON
WML26N60FD, WM MK26N60F FD WMN2 26N60FD, WMM26N N60FD, WM MJ26N60F FD 600V V 0.16Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM FD is Wa ayon’s first generation super junction MOSFET M fam mily with fa ast body diode. FD series pro ovide all benefits b off a fast switching s G D S G S D G SJ-MOSFE ET while offfering an extremely e fa ast body TO-22 20F diode. WM MOSTM FD D mak...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD2065100B7GH (YJ)
 
TO2637 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ YJD2065100NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ YJD2065100NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM38N60C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ WML26N60C2 (WAYON)
 
TO220F
 
 — — —
A+ WMJ38N60C2 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — —
A+ WMJ26N65C2 (WAYON)
 
TO-247-3 — — —
A+ CRJF190N65G2BF-12-Z (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML26N60FD, WM MK26N60F FD WMN2 26N60FD, WMM26N N60FD, WM MJ26N60F FD 600V V 0.16Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM FD is Wa ayon’s first generation super junction MOSFET M fam mily with fa ast body diode. FD series pro ovide all benefits b off a fast switching s G D S G S D G SJ-MOSFE ET while offfering an extremely e fa ast body TO-22 20F diode. WM MOSTM FD D makes especially e r resonant TO O-262 D S TO-220 T D switching applications a s more reliable. Features S G G TO-26 63  Ultra-ffast body dio ode  Typ. RDS(on) =0.16 6Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit VDSSS 600 V ID 20 A 12 A IDM M 50 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 418 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.63 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 3.4 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 147 34 W 1.18 0.27 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 20 A IS,puulse 50 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.85 3.7 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.3.0, 2017 Doc.W08 860018 1 / 10 PDF
Документация на WMJ26N60FD 

Microsoft Word - WMx26N60FD W0860018 V3.0

Дата модификации: 18.11.2022

Размер: 581.1 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)