WM02DH08T
Document: W0803114, Rev: C
WM02DH08T
T
N+P Dual Channel MOSFET
Features
N - Channel:
VDS= 20V, ID = 0.75A
6
RDS(on) < 0.38Ω @ VGS = 4.5V
5
RDS(on) < 0.45Ω @ VGS = 2.5V
1
4
P - Channel:
2
VDS= -20V, ID = -0.66A
3
RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5V
RDS(on) < 0.70Ω @ VGS = -2.5V
SOT-563
ESD Protected
Mechanical Characteristics
SOT-563 Package
Marking : Making...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-563
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-563 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WM02DH08D (WAYON) | SOT-323-6 SOT363 | 3000 шт |
| — | — | — | — | — | — | |||||||
A+ | CJ3439KDW (JSCJ) | SOT-323-6 SOT363 | в ленте 200 шт |
| ± | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.