WM02DH08T

Document: W0803114, Rev: C WM02DH08T T N+P Dual Channel MOSFET Features  N - Channel: VDS= 20V, ID = 0.75A 6 RDS(on) < 0.38Ω @ VGS = 4.5V 5 RDS(on) < 0.45Ω @ VGS = 2.5V  1 4 P - Channel: 2 VDS= -20V, ID = -0.66A 3 RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5V RDS(on) < 0.70Ω @ VGS = -2.5V  SOT-563 ESD Protected Mechanical Characteristics  SOT-563 Package  Marking : Making...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-563
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WM02DH08D (WAYON)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
A+ CJ3439KDW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 200 шт ±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.