WM02DH08D

Document: W0803113, Rev: B WM02DH08D D N+P Dual Channel MOSFET Features ⚫ N - Channel: VDS= 20V, ID = 0.75A RDS(on) < 0.38Ω @ VGS = 4.5V RDS(on) < 0.45Ω @ VGS = 2.5V ⚫ P - Channel: SOT-363 VDS= -20V, ID = -0.66A RDS(on) < 0.52Ω @ VGS = -4.5V RDS(on) < 0.78Ω @ VGS = -2.5 V ⚫ Low RDS(on) ⚫ Advanced Trench Process Technology ⚫ Surface Mount Package ⚫ ESD Protected Mecha...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= CJ3439KDW (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 200 шт ±
A+ WM02DH08T (WAYON)
 
SOT-563 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.