SMBJ7.5A

Taiwan Semiconductor
DIODE, TVS, 7.5V, 600W, SMB; Diode Type:TVS, Unidirectional; Voltage, Stand-off:7.5V; Voltage, Vbr:9.21V; Power, Peak Pulse:600W; Case Style:SMB; Pins, No. of:2; Case Style, Alternate:DO-214AA; Current, Leakage:100чA; Current, Peak Pulse:48A; Current, Reverse Leakage Max:100чA; Current, Test:10mA; Depth, External:3.73mm; Length / Height, External:2.61mm; Marking, SMD:KP; Polarity, Uni / Bi Directional:Unidirectional; Termination Type:SMD; Voltage, Breakdown Max:9.21V; Voltage, Breakdown Min:8.33V; Voltage, Clamping 8/20чs Max:12.9V; Voltage, Clamping Max:12.9V; Width, External:4.75mm
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
P= SMBJ6.0A/TR13 (YAG)
 
DO214AA — — SMBJ, DO-214AA, 6V, 10.3V, Reel 13"
P= SMBJ6.0A (JIEJIE)
 

SMBJ6.0A/TR7 (YAG) 		— — — — — — — —
P= SMBJ6.0A (DC)
 

SMBJ6.0A/TR7 (YAG) 		DO214AA в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 6 В; Uогр(ном): 7 В;... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ7.5A (DC)
 
DO214AA в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AB] — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= P6SMB6.8AR5G (TSC)
 
— — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= P6SMB6.8A (TSC)
 

P6SMB6.8A/TR7 (YAG) 		DO214AA 1 шт
 
 — — —
P= BV-P6SMBJ6.8A (BENCENT)
 
DO214AA — — —
P= P6SMB6.8A (YJ)
 

P6SMB6.8A/TR7 (YAG) 		DO214AA в ленте 3000 шт
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- SMAJ7.5A (TSC)
 

SMAJ7.5A/TR7 (YAG) 		— 100 шт — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 7.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMAJ7.5AHR3G (TSC)
 
— —
A- SMCJ7V5A (TSC)
 

SMCJ7V5A (ONS-FAIR) 		— — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 7.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
SMBJ SERIES Taiwan Semiconductor 600W, 5V - 170V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Ideal for automated placement Glass passivated junction Excellent clamping capability Fast response time: Typically less than 1.0ps Typical IR less than 1μA above 10V Meets ISO 7637-2 (Pulse 1/2a/2b/3a/3b) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VWM 5 - 170 V VBR (uni - directional) 6.4 - 231 V VBR (bi - directional) 6.4 - 231 V PPK 600 W APPLICATIONS TJ MAX 150 Package DO-214AA (SMB) Configuration Single die ● Protect sensitive circuit from damage by high voltage transients ● Lighting, ESD transient voltage protection of IC, system ● Inductive switching load protection of IC, system ● Electrical Fast Transient Immunity protection of IC, system MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.090g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Non-repetitive peak impulse power dissipation with (1) 10/1000µs waveform Steady state power dissipation at TA = 25°C Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load for Uni-directional only SYMBOL VALUE UNIT PPK 600 W PD 3 W IFSM 100 A Forward Voltage @ IF = 50A for Uni-directional only VF 3.5 / 5.0 V Junction temperature TJ - 55 to +150 °C Storage temperature TSTG - 55 to +150 Notes: 1. Non-repetitive current pulse per Fig.3 and derated above TA = 25°C per Fig.2 2. VF = 3.5V on SMBJ5.0 - SMBJ90 devices and VF = 5.0V on SMBJ100 - SMBJ170 devices °C (2) Devices for Bipolar Applications 1. For bidirectional use C or CA suffix for types SMBJ5.0 - types SMBJ170 2. Electrical characteristics apply in both directions 1 Version: R2104 PDF
Документация на SMBJ100A 

Дата модификации: 09.04.2021

Размер: 456.1 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5KE33CA (SMK)