P6SMB6.8A

Taiwan Semiconductor
Защитный диод -
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AA
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
P= P6SMB6.8AR5G (TSC)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= BV-P6SMBJ6.8A (BENCENT)
 
DO214AA
P= P6SMB6.8A (YJ)
 

P6SMB6.8A/TR7 (YAG)
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ6.0A (DC)
 

SMBJ6.0A/TR7 (YAG)
DO214AA в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 6 В; Uогр(ном): 7 В;... Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 6V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ6.0A/TR13 (YAG)
 
DO214AA SMBJ, DO-214AA, 6V, 10.3V, Reel 13"
P= SMBJ6.0A (JIEJIE)
 

SMBJ6.0A/TR7 (YAG)
P= SMBJ7.5A (DC)
 
DO214AA в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AB] Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ7.5A (TSC)
 
DO214AA 1 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 7.5 В; Uогр(ном): 9 ... Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 7.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- 1.5SMC6.8A (YJ)
 

1.5SMC6.8A/TR7 (YAG)
DO214AB 3000 шт
 
A- PESD5V0L1UL (YOUTAI)
 
в ленте 10 шт
 
A- PESD5V0L1UA (YOUTAI)
 
1 шт
A- 1.5KE6.8 (DC)
 
DO-204AC DO-15 Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- 1.5KE6.8A (YJ)
 
DO201AE в ленте 1250 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 5.8V V(RWM), Unidirectional, Silicon
A- 1.5KE6.8 (YJ)
 
DO201AE 1 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 5.5V V(RWM), Unidirectional, Silicon
A- 1.5SMC6.8A (TSC)
 

1.5SMC6.8A/TR7 (YAG)
DO214AB 1 шт Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- PESD5V0L5UY (YOUTAI)
 
3000 шт
A- BZW06-5V8 (TSC)
 
DO-204AC DO-15 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- 1V5KE6V8A (TSC)
 

1V5KE6V8A (ONS-FAIR)
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201AE
A- P6KE6V8A (TSC)
 

P6KE6V8A (ONS-FAIR)
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- P6KE6.8A (TSC)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-15
A- P4SMA6.8A (TSC)
 
DO214AC 1 шт Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- 1.5KE6.8A (TSC)
 
DO204AC 1 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201
A- P4KE6.8A (TSC)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 5.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41
A- P6SMB6.8 (TSC)
 
DO-214AA DO-214AA (SMB)
A- BZW04-5V8 (TSC)
 

Файлы 1

показать свернуть
P6SMB6.8(A) – P6SMB220(A) Taiwan Semiconductor 600W, 6.8V - 220V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Low profile package Ideal for automated placement Glass passivated chip junction Excellent clamping capability Typical IR less than 1μA above 10V Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volt to BV min Meets ISO 7637-2 (Pulse 1/2a/2b/3a/3b) Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VWM 5.5 - 185 V VBR 6.8 - 220 V PPPSM 600 W TJ MAX 150 °C Package DO-214AA (SMB) Configuration Single die APPLICATIONS ● ● ● ● Switching mode power supply (SMPS) Adapters TV Monitor MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.090g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Non-repetitive peak impulse power dissipation with (1) 10/1000μs waveform Steady state power dissipation at TA = 25°C Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load SYMBOL VALUE UNIT PPPSM 600 W Ptot 3 W IFSM 100 A Forward Voltage @ IF = 50A for Uni-directional only VF 3.5 / 5.0 V Junction temperature TJ -55 to +150 °C (2) TSTG -55 to +150 Storage temperature Notes: 1. Non-repetitive current pulse per Fig.3 and derated above TA = 25°C per Fig.2 2. VF = 3.5V on P6SMB6.8 - P6SMB91 device and VF = 5.0V on P6SMB100 - P6SMB220 device. °C Devices for Bipolar Applications 1. For bidirectional use C or CA suffix for types P6SMB6.8 - types P6SMB220A 2. Electrical characteristics apply in both directions 1 Version: P2102 PDF
Документация на P6SMB100A 

Дата модификации: 05.03.2021

Размер: 494.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.