S1JBR5

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= FM405 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
 — — — — —
P= S1J (TSC)
 

S1J (ONS-FAIR) 		DO214AC 1 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1JG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
 — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
S1AB - S1MB CREAT BY ART 1.0AMP Surface Mount Rectifiers SMB/DO-214AA Features — For surface mounted application — Glass passivated junction chip — Low forward voltage drop — High current capability — Easy pick and place — High surge current capability — Plastic material used carries Underwriters Laboratory Classification 94V-0 — High temperature soldering: 260℃/10 seconds at terminals — Green compound with suffix "G" on packing code & prefix "G" on datecode Mechanical Data — — Case: Molded plastic Terminal: Pure tin plated, lead free — Polarity: Indicated by cathode band — Packing: 12mm tape per EIA STD RS-481 — Weight: 0.093 grams Ordering Information (example) Part No. Package Packing S1AB SMB 850 / 7" REEL Packing code Packing code (Green) R5 R5G Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25 ℃ ambient temperature unless otherwise specified. Symbol S1 AB S1 BB S1 DB S1 GB S1 JB S1 KB S1 MB Unit Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS Voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum Average Forward Rectified Current IF(AV) 1 A Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half Sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC method) IFSM 30 A VF 1.1 V Parameter Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) @1A Maximum Reverse Current @ Rated VR TA=25 ℃ TA=125 ℃ Typical Junction Capacitance (Note 2) Typical Thermal Resistance Operating Temperature Range Storage Temperature Range IR Cj 5 uA 50 12 pF O RθjL 30 TJ - 55 to + 150 O C - 55 to + 150 O C TSTG C/W Note 1: Pulse Test with PW=300 usec, 1% Duty Cycle Note 2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Version:F13 PDF
Документация на S1ABR5 

S1AB SERIES_F13.xls

Дата модификации: 21.06.2013

Размер: 246.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)