S1J

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 600 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= FM405 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
 — — — — —
P= S1JG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
 — — — — — — —
A- S1K (DC)
 

S1K (ONS-FAIR) 		DO214AC в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AA] — —
A- GS1J (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- S2K SMAG (JSCJ)
 
DO214AC
 
 — — — — —
A- S1K (TSC)
 

S1K (ONS-FAIR) 		DO214AC — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
S1A – S1M Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 1000V Surface Mount Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated chip junction Ideal for automated placement Low forward voltage drop Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 30, 40 A TJ MAX 175 °C APPLICATIONS ● ● ● ● ● DC to DC converter Switching mode converters and inverters Lighting application Snubber General purpose Package DO-214AC (SMA) Configuration Single die MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: Indicated by cathode band Weight: 0.060g (approximately) DO-214AC (SMA) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device S1A S1B S1D S1G S1J S1K S1M UNIT S1A S1B S1D S1G S1J S1K S1M Repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V Forward current Peak forward surge current, 8.3ms single half sine wave superimposed on rated load Non-repetitive peak reverse avalanche energy, IAS = 1A, L = 10mH Junction temperature Storage temperature IF 1 IFSM 40 A 30 A ERSM 5 mJ TJ - 55 to +175 °C TSTG - 55 to +175 °C 1 Version: S2102 PDF
Документация на S1B 

Дата модификации: 05.03.2021

Размер: 556.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD01060E (CREE PWR)