Вход / Регистрация

P6SMB200AM4G

Taiwan Semiconductor
P6SMB6.8(A) - P6SMB220(A) Taiwan Semiconductor 600W, 6.8V - 220V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● Low profile package Ideal for automated placement Glass passivated junction Excellent clamping capability Typical IR less than 1μA above 10V Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volt to BV min ● Moisture sensitivity level: level 1, p...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (диапазон)
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
P6SMB6.8(A) - P6SMB220(A) Taiwan Semiconductor 600W, 6.8V - 220V Surface Mount Transient Voltage Suppressor FEATURES KEY PARAMETERS ● ● ● ● ● ● Low profile package Ideal for automated placement Glass passivated junction Excellent clamping capability Typical IR less than 1μA above 10V Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volt to BV min ● Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 ● RoHS Compliant ● Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT VWM 5.5 - 185 V VBR 6.8 - 220 V PPPSM 600 W TJ MAX 150 °C Package DO-214AA (SMB) Configuration Single die APPLICATIONS ● ● ● ● Switching mode power supply (SMPS) Adapters TV Monitor MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DO-214AA (SMB) Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.090 g (approximately) DO-214AA (SMB) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER Non-repetitive peak impulse power dissipation with (1) 10/1000μs waveform Steady state power dissipation at TA=25°C Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (2) Forward Voltage @ IF=50A for Uni-directional only Junction temperature Storage temperature Notes: 1. 2. SYMBOL VALUE UNIT PPPSM 600 W Ptot 3 W IFSM 100 A VF 3.5/5.0 V TJ -55 to +150 °C TSTG -55 to +150 °C Non-repetitive current pulse per Fig. 3 and derated above TA=25°C per Fig. 2 VF=3.5V on P6SMB6.8 - P6SMB91 device and VF=5.0V on P6SMB100 - P6SMB220 device. Devices for Bipolar Applications 1. For bidirectional use C or CA suffix for types P6SMB6.8 - types P6SMB220A 2. Electrical characteristics apply in both directions 1 Version: O2004 PDF
Документация на P6SMB100AM4G 

Subject:

Дата модификации: 24.04.2020

Размер: 318.5 Кб

8 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    24 ноября 2022
    новость

    TVS-диоды SUNCO поступили на склад КОМПЭЛ

    Большая партия TVS–диодов производства компании SUNCO пополнила склад КОМПЭЛ. На сегодняшний день SUNCO является крупнейшим в КНР производителем полного цикла, выпускающим дискретные силовые полупроводники. Основанная в 2000 г. в городе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5SMC510A (BOURNS)