BC848C RF

Taiwan Semiconductor
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ BC847C (YJ)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ S9014-H (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC848C (YJ)
 

BC848C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC849C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ PBSS4120T (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847C (DC)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847CQ (YJ)
 
в ленте 5 шт
 
A+ PBSS4240T (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC847CW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC847C (JSCJ)
 

BC847C (DIODES)
3000 шт
 
A+ BC847 1G (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC847C (YOUTAI)
 

BC847C (DIODES)
в ленте 500 шт
 
A+ BC848C (KLS)
 

BC848C (DIODES)
в ленте 3000 шт
 
A+ BC848C 420-800 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC847C RFG (TSC)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC847C (SHIKUES)
 

BC847C (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC849C (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
A+ BC850C (SHIKUES)
 
SOT-23-3 в ленте 250 шт
 
A+ LBC848CLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ LBC850CLT1G (LRC)
 
 

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.