Вход / Регистрация

1N4007GR0G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А , производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4007G A0G (TSC)
 
DO204AL 3000 шт — — — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL
P- 1N4007 (DC)
 

1N4007 (ONS-FAIR) 		DO41 в ленте 1000 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
1N4001G thru 1N4007G Taiwan Semiconductor CREAT BY ART Glass Passivated Rectifiers FEATURES - Glass passivated chip junction - High current capability, Low VF - High reliability - High surge current capability - Low power loss, high efficiency - Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and in accordance to WEEE 2002/96/EC - Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition MECHANICAL DATA Case: DO-204AL (DO-41) DO-204AL (DO-41) Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0 Base P/N with suffix "G" on packing code - green compound (halogen-free) Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified Terminal: Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102 Meet JESD 201 class 1A whisker test with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test Weight: 0.33 g (approximately) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS (TA=25℃ unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL 1N 1N 1N 1N 1N 1N 1N 4001G 4002G 4003G 4004G 4005G 4006G 4007G UNIT Maximum repetitive peak reverse voltage VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC blocking voltage VDC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum average forward rectified current IF(AV) 1 A Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load IFSM 30 A VF 1.0 V Maximum instantaneous forward voltage (Note 1) @1A Maximum reverse current @ rated VR TJ=25 ℃ TJ=125 ℃ Typical junction capacitance (Note 2) Typical thermal resistance Operating junction temperature range Storage temperature range IR Cj 5 μA 100 10 pF O RθJA 80 TJ - 55 to +150 O C TSTG - 55 to +150 O C C/W Note1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C. Document Number: DS_D1405008 Version: M14 PDF
Документация на 1N4001GR0G 

1N4001G SERIES_M14.xls

Дата модификации: 27.05.2014

Размер: 193.4 Кб

4 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    SUNCO – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания SUNCO осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)