MMBTA44

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBTA44 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES  High Collector-Emitter Voltage  Complement to MMBTA94 MARKING: 3D 1. BASE 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-B...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBTA44 (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P= MMBTA44 (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
 — — — — —
A+ MPSA44 (JSCJ)
 
TO-92-3 2000 шт — — — — —
A+ MMBTA44G-AE3-R (UTC)
 
—
 
 — — — —
A+ MPSA44G-AB3-R (UTC)
 
SOT-89 — — — —
A+ MPSA44G-T92-A-B (UTC)
 
TO-92-3 — — — —
A+ MPSA44L-T92-K (UTC)
 
— 1 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBTA44 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES  High Collector-Emitter Voltage  Complement to MMBTA94 MARKING: 3D 1. BASE 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 400 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V Collector Current-Continuous 200 mA Collector Current -Pulsed 300 mA Collector Power Dissipation 350 mW RΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 357 ℃/W Tj,TSTG Operation Junction and Storage Temperature Range -55～+150 ℃ IC IC0 PC 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100µA, IE=0 400 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC=1mA, IB=0 400 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10µA, IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=400V, IE=0 0.1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V, IC=0 0.1 µA DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage hFE(1) * VCE=10V, IC=1mA 40 hFE(2) * VCE=10V, IC=10mA 50 hFE(3) * VCE=10V, IC=50mA 45 hFE(4) * VCE=10V, IC=100mA 40 200 VCE(sat)1* IC=1mA, IB=0.1mA 0.4 V VCE(sat)2* IC=10mA, IB=1mA 0.5 V VCE(sat)3* IC=50mA, IB=5mA 0.75 V VBE(sat)* IC=10mA, IB=1mA 0.75 V Collector output capacitance Cob VCB=20V, IE=0, f=1MHz 7 pF Emitter input capacitance Cib VEB=0.5V, IC=0, f=1MHz 130 pF Transition frequency fT VCE=20V, = IC 10mA,f = 30MHz 3 50 MHz *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на MMBTA44 

Microsoft Word - MMBTA44 SOT-23_A_.doc

Дата модификации: 14.05.2020

Размер: 761.5 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)