NCEP6060GU

NCEP6060GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6060GU uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high ● VDS =60V,ID =60A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=5.6mΩ (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low ● Excellent...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 27

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= HGQ09N06A (CRMICRO)
 
PDFN8L5X6
 
P= CJAC13TH06 (JSCJ)
 
в ленте 20 шт
 
±
P= YJG70G06A (YJ)
 
20 шт
 
A+ WML100N07TS (WAYON)
 
TO220F 10 шт
 
A+ YJD90N06A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ WMB85N06T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMK060N08HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ CJAC100SN08 (JSCJ)
 
 
A+ WMM90N08TS (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMO060N06LG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMO100N07T1 (WAYON)
 
TO252
 
A+ YJQ62G06A (YJ)
 
в ленте 10 шт
 
A+ YJG80G06B (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ WMB100N07TS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ YJQ70G06A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJG85G06AK (YJ)
 
 
A+ YJG80G06A (YJ)
 
1 шт
 
A+ WMQ048NV6LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
A+ YJD80G06C (YJ)
 
TO252 2500 шт
A+ WMO80N06T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMQ060N06LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ YJG95G06A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
A+ WMK80N06T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ JMTK060N06A (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ CS120N06C8 (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
A+ WMK100N07TS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ CJAC100SN08U (JSCJ)
 
125 шт ±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP6060GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6060GU uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high ● VDS =60V,ID =60A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=5.6mΩ (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for ● Very low on-resistance RDS(on) high-frequency switching and synchronous rectification. ● 150 °C operating temperature Application ● Pb-free lead plating ● DC/DC Converter ● Ideal for high-frequency switching and 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P6060GU NCEP6060GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 60 A ID (100℃) 43.5 A Pulsed Drain Current IDM 170 A Maximum Power Dissipation PD 70 W 0.56 W/℃ EAS 320 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) RθJC 1.78 ℃/W Thermal Resistance,Junction-to-Ambient(Note 2) RθJA 50 ℃/W Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V4.0 PDF
Документация на NCEP6060GU 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 22.07.2021

Размер: 745.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.