NCEP050N85G

NCEP050N85G NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rec...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM043N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ BLP05N08G-B (CN BELL)
 
 
N-Channel Double Trench MOSFET, TO-263, 85 V, 120 A, 0,0044 Ohm Fast Switching, Low On-Resistance, Low Gate Charge, Low Reverse transfer capacitances, High avalanche ruggedness, RoHS product, Switching applications, Motor drivers
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ JMSH1004NG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ JMSH1004BGQ (JIEJIE)
 
 
A+ JMSH1004BG (JIEJIE)
 
 
A+ JMSH1004BE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1004BC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1003AGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
A+ BLP05N08G-P (CN BELL)
 
 
N-Channel Double Trench MOSFET, TO-220, 85 V, 120 A, 0,0044 Ohm Fast Switching, Low On-Resistance, Low Gate Charge, Low Reverse transfer capacitances, High avalanche ruggedness, RoHS product, Switching applications, Motor drivers
A+ WMM043N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ CJB130SN10 (JSCJ)
 
TO2632L
 
±
A+ CJP130SN10 (JSCJ)
 
TO2203L
 
±
A+ CJAC110SN10L (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110SN10H (JSCJ)
 
 
±
A+ CJAC110SN10A (JSCJ)
 
в ленте 32 шт
 
±
A+ WMO053NV8HGS (WAYON)
 
TO252
 
A+ WMM055N10HG2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMM053NV8HGS (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMK053NV8HGS (WAYON)
 
TO-220-3 12 шт
 
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMK043N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP050N85G NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and General Features ● VDS =85V,ID =100A RDS(ON)=4.6mΩ , typical @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150°C operating temperature ● Pb-free lead plating 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! synchronous rectification DFN5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P050N85G NCEP050N85G DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 85 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 100 A ID (100℃) 75 A Pulsed Drain Current IDM 400 A Maximum Power Dissipation PD 125 W 1.0 W/℃ EAS 540 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 1.0 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V1.0 PDF
Документация на NCEP050N85G 

Microsoft Word - NCEP050N85G data sheet.doc

Дата модификации: 24.03.2021

Размер: 326.2 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.