WMM053NV8HGS

WAYON
WMM053NV8HGS 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM053NV8HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device D is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-263 Features  S VDS= 85V, ID = 125A RDS(on) < 5.5...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK053NV8HGS (WAYON)
 
TO-220-3 12 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM055N10HG2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — — —
A+ WMO053NV8HGS (WAYON)
 
TO252
 
 — — — — — —
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMM053NV8HGS 85V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM053NV8HGS uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device D is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-263 Features  S VDS= 85V, ID = 125A RDS(on) < 5.5mΩ @ VGS = 10V  High Speed Power Switching  Low Gate Charge  Low RDS(ON)  100% EAS Guaranteed D RoHS compliant G Applications  Battery Management System  Power Management Switching  Motor Drive S Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 85 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current TC=25°C ID TC=100°C 125 A 79 IDM 500 A EAS 204.8 mJ PD 162 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 58 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Lead RθJC 0.77 °C/W Pulsed Drain Current4 Single Pulse Avalanche Energy3 Total Power Dissipation4 TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.2.0, 2021 Doc:W0803479 1 / 7 PDF
Документация на WMM053NV8HGS 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 04.08.2022

Размер: 608.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)