NCEP040N85G

NCEP040N85G http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The NCEP040N85G uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
в ленте 3000 шт
A+ JMSH1004BG (JIEJIE)
 
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
±
A+ NCEP023N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ JMSH1004BGQ (JIEJIE)
 
 
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ JMSH1004BC-U (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
A+ JMSH1004BE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ JMSH1003NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ CJAC110SN10A (JSCJ)
 
в ленте 32 шт
 
±
A+ WMO053NV8HGS (WAYON)
 
TO252
 
A+ WMM053NV8HGS (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMK053NV8HGS (WAYON)
 
TO-220-3 12 шт
 
A+ WMB128N10T2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ JMSH1003NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ NCEP026N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP040N85G http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The NCEP040N85G uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features ● VDS =85V,ID =120A RDS(ON)=3.5mΩ (typical) @ VGS=10V ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P040N85G NCEP040N85G DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 85 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 120 A ID (100℃) 90 A Pulsed Drain Current IDM 480 A Maximum Power Dissipation PD 150 W 1.2 W/℃ EAS 870 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 0.83 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCEP040N85G 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 19.12.2022

Размер: 1.1 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.