NCE60H15A

NCE60H15A http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE60H15A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram ● VDS =60V,ID =150A RDS(ON) <3.1mΩ @ VGS=10V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully charact...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJP120N10 (JSCJ)
 
TO-220-3 10 шт
 
P- CS120N06C8 (CRMICRO)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
P- WMK025N06HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- WMK030N06HG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
P- YJP200G06B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 3000 шт
 
P- CS180N06A8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
P- JMTC035N06D (JIEJIE)
 
TO2203L 50 шт
 
P- CRTT032N06N (CRMICRO)
 
TO-220-3
 
A+ JMSH0804NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ YJB200G06B (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ BLM04N06-B (CN BELL)
 
 
N-Channel Trench MOSFET, TO-263, 60 V, 150 A, 0,0035 Ohm Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply
A+ YJB150G06AK (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
A+ YJG210G06AR (YJ)
 
в ленте 80 шт
 
A+ YJB200G06A (YJ)
 
TO263 800 шт
 
A+ YJB150N06BQ (YJ)
 
 
A+ YJG175G06AR (YJ)
 
в ленте 5000 шт
 
A+ WMK040N08HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK030N06LG4 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ YJP200G06A (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK025N06LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ YJB200G06C (YJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WML025N06HG2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMM025N06HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
A+ WMM030N06HG4 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMM040N08HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE60H15A 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 06.09.2022

Размер: 579.3 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.