NCE0275T

NCE0275T http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0275T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in automotive applications and a wide variety of other applications. General Features ● VDSS =200V,ID =75A Schematic diagram RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=10V ● High density cell design fo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCE0275 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
±
A+ NCEP0260 (NCE)
 
TO2203L в линейках 1000 шт
 
A+ CRSS109N20N (CRMICRO)
 
TO263 в ленте 25 шт
 
A+ NCEP025F90T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт ±
A+ NCEP02580F (NCE)
 
TO220F
 
±
A+ NCEP02580D (NCE)
 
TO263 36 шт
 
±
A+ NCEP02T10D (NCE)
 
TO263 в ленте 200 шт
 
±
A+ NCEP02T10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ JMSH2010PE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ CRSQ113N20N (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт
A+ CS82N25AKR-G (CRMICRO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт
A+ NCEP02T10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±

Файлы 1

показать свернуть
NCE0275T http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0275T uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in automotive applications and a wide variety of other applications. General Features ● VDSS =200V,ID =75A Schematic diagram RDS(ON) < 22mΩ @ VGS=10V ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application TO-247-3L top view ● Automotive applications ● Hard switched and high frequency circuits 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! ● Uninterruptible power supply Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE0275T NCE0275T TO-247-3L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDSS 200 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 75 A ID (100℃) 53 A IDM 300 A PD 360 W 2.4 W/℃ EAS 900 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ RθJC 0.42 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current (Note 1) Maximum Power Dissipation Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 3) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case (Note 1) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V2.0 PDF
Документация на NCE0275T 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 08.05.2023

Размер: 684.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.