LBC856BWT1G
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LBC856AWT1G, BWT1G
LBC857AWT1G, BWT1G
CWT1G
LBC858AWT1G, BWT1G
CWT1G
S-LBC856AWT1G, BWT1G
S-LBC857AWT1G, BWT1G
CWT1G
S-LBC858AWT1G, BWT1G
CWT1G
General Purpose Transistors
PNP Silicon
These transistors are designed for general purpose
amplifier applications. They are housed in the SOT–323/
SC–70 which is designed for low power surface mount
applications.
Features
W...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: LBC856
- Корпус: SOT-323-3
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-323-3 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току | ||
Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 1
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | LBC856BLT1G (LRC) | — | в ленте 3000 шт | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.