LBC856BDW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors LBC85** DW1T1G 6 These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–363/SC–88 which is designed for low power surface mount applications. We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 5 4 1 2 3 • Device Marking: SOT-363 LBC856ADW1T1G= 3A LBC856BDW1...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), PNP
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.