DFS09HF12EYC1

Leapers
DFS09HF12EYC1 1200V/9.5mΩ Half Bridge SiC MOSFET Module Description Features The DFS09HF12EYC1 is a Half Bridge SiC MOSFET Power Module. It integrates high performance SiC MOSFET chips designed for the applications such as Solar Inverter, UPS, Fuel cellDC/DC converter, Energy storage Systems.  Blocking voltage:1200V      9.5m Rds(on)@Tj =25°C Low Switching Losses 175°C maximum junc...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид серии E0
Внешний вид DFS40HF12EYQ1
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Напряжение сток-исток максимальное
Схема модуля
Максимальный рабочий ток при 25°C
Сопротивление открытого канала при макс. U затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
DFS09HF12EYC1 1200V/9.5mΩ Half Bridge SiC MOSFET Module Description Features The DFS09HF12EYC1 is a Half Bridge SiC MOSFET Power Module. It integrates high performance SiC MOSFET chips designed for the applications such as Solar Inverter, UPS, Fuel cellDC/DC converter, Energy storage Systems.  Blocking voltage:1200V      9.5m Rds(on)@Tj =25°C Low Switching Losses 175°C maximum junction temperature Si3N4 AMB Thermistor inside Applications     Solar inverter Systems Fuel cell-DC/DC converter Uninterruptible Power Supplier Energy Storage Systems Circuit diagram Figure 1. Out drawing & circuit diagram for DFS09HF12EYC1 www.leapers-power.com Preliminary datasheet _Ver.C EN 1/9 PDF
Документация на DFS09HF12EYC1 

DFS09HF12EYC1 ver C

Дата модификации: 28.04.2023

Размер: 2.02 Мб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    PM731060DT-DT (CHIPOWN)